偏壓（Bias)是指在鍍膜過程中施加在基體上的負電壓。偏壓電源的正極接到真空室上，同時真空室接地，偏壓的負極接到工件上。由于大地的電壓一般認為是零電位，所以工件上的電壓習慣說負偏壓，簡稱偏壓。

負偏壓的作用
提供粒子能量；
對于基片的加熱效應；
清除基片上吸附的氣體和油污等，有利于提高膜層結合強度；
活化基體表面；
對電弧離子鍍（Arc Ion Plating)中的大顆粒有凈化作用；

偏壓的分類
根據波形可分為：
直流偏壓
直流脈沖偏壓
直流疊加脈沖偏壓
雙極性脈沖偏壓

直流偏壓和脈沖偏壓的比較

傳統的電弧離子鍍是在基片臺上施加直流負偏壓控制離子轟擊能量, 這種沉積工藝存在以下缺點:
        基體溫升高, 不利于在回火溫度低的基體上沉積硬質膜。
        高能離子轟擊造成嚴重的濺射, 不能簡單通過提高離子轟擊能量合成高反應閾能的硬質薄膜。
直流偏壓電弧離子鍍工藝中,為了抑制因離子對基體表面連續轟擊而導致的基體溫度過高,主要采取減少沉積功率、縮短沉積時間、采用間歇沉積方式等措施來降低沉積溫度，這些措施可以概括地稱為能量控制法'這種方法雖然可以降低沉積溫度,但也使薄膜的某些性能下降,同時還降低了生產效率和薄膜質量的穩定性，因此,難以推廣應用。
脈沖偏壓電弧離子鍍工藝中,由于離子是以非連續的脈沖方式轟擊基體表面,所以通過調節脈沖偏壓的占空比,可改變基體內部與表面之間的溫度梯度,進而改變基體內部與表面之間熱的均衡補償效果,達到調控沉積溫度的目的。這樣就可以把施加偏壓的脈沖高度與工件溫度獨立分開(互不影響或影響很小)調節,利用高壓脈沖來獲得高能離子的轟擊效應以改善薄膜的組織和性能,通過降低占空比來減小離子轟擊的總加熱效應以降低沉積溫度。

偏壓對膜層的影響

偏壓對膜層的影響機制是很復雜的，下面列出了一些主要影響，可以根據自己的使用工藝，觀察總結，就可以很快摸清偏壓對膜層的影響規律。
        膜層結構、結晶構造取向、組織結構
        沉積速率
        大顆粒凈化
        膜層硬度
        膜層致密度
        表面形貌
        內應力